MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C是美光科技推出的一款集成4Gb NAND Flash与4Gb LPDDR2 DRAM的混合存储器芯片，采用162-VFBGA封装。该器件通过在同一封装内整合非易失存储与高速易失缓存，为系统设计提供了高密度、高性能的存储解决方案。
其LPDDR2 DRAM部分运行频率高达533MHz，能有效提升数据吞吐和处理速度，而NAND Flash部分则提供稳定的主存储空间。芯片支持1.8V单电压供电，工作温度范围为-40°C至85°C，具备优异的功耗控制和工业级环境适应性。
此配置特别适用于需要兼顾大容量存储、高速数据缓冲及紧凑板级空间的应用，是简化复杂嵌入式系统存储架构的理想选择。
- 型号:MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4G PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 32（NAND），128M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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