NAND16GW3D2BN6E

NAND16GW3D2BN6E是美光科技生产的一款16Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用2G x 8位的存储结构。该器件提供25ns的快速页写入和访问时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑系统。

其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）和48-TSOP表面贴装封装，使其能够适应严苛的环境要求并便于PCB集成。这款芯片适用于需要中等容量、可靠非易失性存储和并行接口高速数据传输的嵌入式应用。

• 制造商产品型号：NAND16GW3D2BN6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 16GBIT PARALLEL 48TSOP
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：16Gb（2G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：25ns
• 访问时间：25ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
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