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MICRON
MT46V32M16BN-6:C的图片

MT46V32M16BN-6:C

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(10x12.5)
优势价格,MT46V32M16BN-6:C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46V32M16BN-6:C的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46V32M16BN-6:C是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片,采用32M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,时钟频率高达167MHz,并具备700ps的快速访问时间,能够有效满足中等性能嵌入式系统对数据高速存取的需求。

其核心优势在于结合了DDR技术的高带宽特性与2.3V~2.7V的低工作电压范围,在提升数据传输速率的同时兼顾了功耗控制。器件采用60-TFBGA表面贴装封装,适用于空间紧凑的PCB设计。主要面向网络设备、工业控制及消费电子等需要可靠、稳定内存解决方案的应用领域。

  • 型号:MT46V32M16BN-6:C
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(10x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:32M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:167 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:700 ps
  • 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(10x12.5)
  • 想获取MT46V32M16BN-6:C的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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