MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 是美光科技推出的一款集成4Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM的混合存储器芯片。它采用162-VFBGA封装和并联接口，在单一器件上实现了非易失性大容量存储与高速易失性缓存的结合，有效优化了存储系统的性能与空间效率。
该器件工作电压为1.8V，LPDDR2 DRAM部分支持高达533MHz的时钟频率，能显著提升数据访问速度。其工业级工作温度范围（-40°C ~ 85°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。此方案主要面向需要高密度存储和快速数据处理的嵌入式应用，如工业控制、网络通信和高端便携设备。
- 型号:MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:162-VFBGA（10.5x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
- 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
- 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.8V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:162-VFBGA
- 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
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