MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用MLC技术和并联接口。其核心卖点在于32G x 8位的组织结构、267MHz的高时钟频率以及2.5V~3.6V的宽电压供电范围，为高速数据存取提供了硬件基础。
该器件设计用于严苛环境，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并采用132-VBGA表面贴装封装，确保了在空间受限和可靠性要求高的应用中的稳定运行。作为一款有源的非易失性存储器，它为企业存储、工业控制和嵌入式系统提供了高密度、高性能的数据存储解决方案。
- 型号:MT29F256G08CECEBJ4-37ITR:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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