MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR是美光科技生产的一款64Gb容量NAND闪存芯片，采用8位并行接口。其核心架构组织为8G x 8，在100MHz时钟频率下工作，能够提供较高的数据传输带宽，适用于对存储速度有要求的应用。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，采用100-VBGA表面贴装封装，商业级工作温度范围为0°C至70°C。其非易失性存储特性和并联接口设计，使其成为需要可靠、大容量数据存储的嵌入式系统的典型选择。
- 型号:MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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