MT41K256M4JP-15E:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器。它采用256M x 4的并行架构，时钟频率为667MHz，可实现高达1333 MT/s的数据传输速率，为系统提供高带宽的内存访问能力。
该芯片工作电压典型值为1.35V，具有较低的功耗特性，访问时间为13.5ns。其采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于要求一定环境适应性的各类电子设备。
- 型号:MT41K256M4JP-15E:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:256M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
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