MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR是美光科技推出的一款512Gb（64GB）容量NAND闪存芯片，采用TLC（Triple-Level Cell）技术和64G x 8位的存储结构。其核心卖点在于通过双裸片封装（DDP）设计，在VBGA封装内实现了高存储密度，为需要大容量非易失性存储的方案提供了紧凑的硬件基础。

该芯片以卷带（TR）形式供货，兼容自动化贴装生产，适用于大规模制造。其8位接口标准且通用，确保了与主流控制器良好的互操作性。这款组件主要面向固态硬盘、嵌入式系统、数据存储设备及工业计算等对存储容量和可靠性有明确要求的应用领域。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：TLC 512G 64GX8 VBGA DDP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：*
• 零件状态：有源
• 存储器类型：-
• 存储器格式：-
• 技术：-
• 存储容量：-
• 存储器接口：-
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
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• 电压-供电：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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