MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR是美光科技推出的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8的存储结构。该器件基于非易失性闪存技术，数据在断电后仍可保持，为核心数据存储提供了可靠保障。
其工作电压范围为1.7V至1.95V，支持低功耗设计，同时具备-40°C至85°C的宽工业级工作温度范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，形式紧凑，适合高密度PCB板设计。
综合来看，这款芯片以其适中的容量、可靠的工业级特性及标准的并行接口，主要面向工业控制、嵌入式系统、网络设备及消费电子等需要稳定、非易失性数据存储的应用领域。
- 型号:MT29F2G08ABBGAH4-IT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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