MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR 是美光科技推出的一款高密度并行接口NAND闪存芯片，提供高达2Tb（256GB）的存储容量，采用256G x 8的内部组织架构。该器件设计用于满足对海量非易失性存储有严格需求的应用。
其核心特性包括支持167MHz时钟频率的并行接口，可实现高速数据吞吐；工作电压范围为2.7V ~ 3.6V，兼容性良好；采用152-LBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的设计。器件工作在0°C ~ 70°C的商用温度范围内，确保在常规环境下的可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT29E2T08CTCCBJ7-6:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
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