MT49H64M9FM-25E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM，采用64M x 9的组织结构，并支持奇偶校验功能。该器件以400MHz的时钟频率运行，数据访问时间为15ns，在1.8V供电电压下可实现高速数据读写。
其采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于对空间和散热有要求的嵌入式系统。该芯片的核心卖点在于其高速并行接口与数据完整性支持的结合，能够满足网络设备、工业控制等应用中对带宽和可靠性的双重需求。
- 型号:MT49H64M9FM-25E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:64M x 9
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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