MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A

MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A是美光科技生产的一款512Gb（64GB）容量、采用TLC（3位每单元）技术的并行接口NAND闪存芯片。该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，属于有源状态的商用存储器产品。

其核心卖点在于高存储密度与非易失性数据保持能力，通过并联接口实现高效数据传输，适用于需要大容量、稳定存储的电子系统。该芯片的规格设计平衡了性能、可靠性与成本，是构建固态存储介质的理想基础元件。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料