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MICRON
MT53E768M32D4DT-053 WT:E的图片

MT53E768M32D4DT-053 WT:E

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
原厂封装:封装:200-VFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E768M32D4DT-053 WT:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E768M32D4DT-053 WT:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E768M32D4DT-053 WT:E是美光科技推出的一款24Gb容量、采用Mobile LPDDR4技术的汽车级DRAM。该器件以768M x 32的组织结构,在1.866GHz的时钟频率下运行,能够提供极高的数据传输带宽,满足现代高性能计算系统对内存吞吐量的需求。

其核心优势在于将高性能与高可靠性相结合。双电压(0.6V/1.1V)供电设计实现了出色的能效比,而符合AEC-Q100标准并支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,则确保了其在严苛的汽车电子及工业环境中长期稳定工作。其200-VFBGA封装形式也适用于空间紧凑的嵌入式设计。

  • 型号:MT53E768M32D4DT-053 WT:E
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-VFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 24GBIT 1.866GHZ 200VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:24Gb
  • 存储器组织:768M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-VFBGA
  • 供应商器件封装:200-VFBGA(10x14.5)
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