MT41K512M16VRN-107 AAT:P

MT41K512M16VRN-107 AAT:P是美光科技推出的一款符合AEC-Q100标准的汽车级8Gb DDR3L SDRAM。该器件采用512M x 16的架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输率，满足现代汽车电子系统对内存带宽的苛刻需求。

该芯片的核心优势在于其低电压（1.283V-1.45V）运行与宽工作温度范围（-40°C至105°C）的结合。DDR3L技术显著降低了系统功耗，而扩展的温度规格确保了在极端汽车环境下（如引擎舱或严寒地区）的可靠性和数据完整性。其96-TFBGA封装形式适合空间受限的汽车电子模块设计。

综上所述，这款存储器专为要求高可靠性、长生命周期和稳定性能的汽车应用而优化，是高级车载计算平台的理想内存选择。

• 制造商产品型号：MT41K512M16VRN-107 AAT:P
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：8Gb（512M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：96-TFBGA
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