MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用512M x 8位的内部架构，提供非易失性数据存储解决方案，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统设计的灵活性。
该芯片采用63-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于高密度PCB布局。其工业级工作温度范围（-40°C至85°C）确保了在恶劣环境下的可靠运行，主要面向工业控制、汽车电子及网络设备等对数据存储稳定性和环境适应性有严格要求的应用领域。
- 型号:MT29F4G08ABAEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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