MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR是美光科技（Micron Technology）生产的一款16Gb容量移动LPDDR4 SDRAM存储器。该芯片采用512M x 32的组织结构，在2133MHz的时钟频率下运行，可实现高速数据访问，满足现代移动计算平台对内存带宽的苛刻要求。
其设计侧重于能效与集成度，核心工作电压为1.1V，有效降低了系统功耗。产品采用200-WFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的设计。同时，其工作温度范围覆盖-30°C至85°C（TC），确保了在多种环境条件下的稳定运行。这款器件为需要高密度、低功耗内存解决方案的移动和嵌入式应用提供了关键组件。
- 型号:MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-WFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:16Gb
- 存储器组织:512M x 32
- 存储器接口:-
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-WFBGA
- 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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