NAND128W3AABN6E是美光科技生产的一款128Mb（16M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用48-TSOP封装。该芯片提供50ns的页写入时间和访问时间，并支持2.7V至3.6V的宽电压供电，确保了在连续数据读写操作中的效率与系统兼容性。
其设计满足了工业级应用环境要求，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，具备良好的环境适应性。此器件适用于需要可靠非易失性存储的各类嵌入式系统，如工业控制、网络设备及消费电子产品，提供了成本与性能的平衡解决方案。
- 型号:NAND128W3AABN6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128MBIT PAR 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Mb
- 存储器组织:16M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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