MT41K512M8V00HWC1-N001

MT41K512M8V00HWC1-N001是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器芯片。该器件采用512M x 8位的组织架构和并行接口，属于易失性DRAM类别，其核心卖点在于支持1.283V至1.45V的低工作电压（DDR3L标准），能有效降低系统功耗。

该芯片适用于工作温度要求为0°C至95°C（TC）的各类电子系统。尽管产品状态标注为停产，但其提供的4Gb存储密度与DDR3L技术相结合，依然能满足许多对内存带宽和能效有特定要求的嵌入式设计、网络设备或工业控制应用场景的需求。

• 型号:MT41K512M8V00HWC1-N001
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
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