MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B 是一款由美光科技制造的512Gb NAND闪存芯片，采用并联接口和152-TBGA表面贴装封装。其核心卖点包括高达166MHz的时钟频率，支持高速数据传输，以及2.7V至3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在多样环境下的稳定运行。
该芯片以64G x 8位的结构提供大容量非易失存储，适用于需要可靠数据保存的应用。尽管目前已停产，但其技术参数仍使其在企业存储、工业控制和嵌入式系统等场景中具有重要价值，体现了高密度与强环境适应性的结合。
- 型号:MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-TBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 152TBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-TBGA
- 供应商器件封装:152-TBGA（14x18）
- 想获取MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
