MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR是美光科技生产的一款1.125Tb（144GB）大容量NAND闪存芯片，采用并联接口和272-VFBGA表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术，可在2.7V至3.6V的宽电压范围和0°C至70°C的标准工业温度下稳定工作。

其核心优势在于高达267MHz的时钟频率所带来的高速数据吞吐能力，能够满足对性能要求苛刻的应用。这款芯片集成了ECC、损耗均衡等高级管理功能，显著提升了数据存储的可靠性和耐久性，主要针对企业级存储、数据中心、高端嵌入式系统等需要海量、高速且可靠非易失存储的方案。

• 制造商产品型号：MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.125T PAR 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.125Tb（144G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
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