MT29F32G08AECBBH1-12:B TR是美光科技推出的一款32Gb（4G x 8位）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术，工作电压为2.7V至3.6V，时钟频率可达83MHz，旨在为需要较高数据吞吐率的应用提供稳定的存储解决方案。
芯片采用100-VBGA封装和卷带包装，适用于表面贴装工艺，工作温度范围为0°C至70°C。其核心卖点在于通过并行接口实现的高速数据传输能力，以及美光在NAND闪存领域的成熟设计与制造工艺所带来的可靠性。该产品主要定位于传统的商业级嵌入式存储市场。
- 型号:MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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