MT29F1G08ABADAH4:D TR是美光科技生产的一款1Gb（128M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。作为非易失性存储器，它在断电后仍能可靠保存数据，其2.7V ~ 3.6V的宽电压供电范围提升了系统设计的电源适应性。
该器件适用于表面贴装工艺，工作温度范围为0°C ~ 70°C，满足商业级应用环境要求。其核心卖点在于提供了经过验证的、中等密度的并行闪存解决方案，适合于需要字节宽度数据访问的嵌入式存储应用。
- 型号:MT29F1G08ABADAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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