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MICRON
MT44K64M18RB-107E IT:A TR的图片

MT44K64M18RB-107E IT:A TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
原厂封装:产品封装:168-TBGA
优势价格,MT44K64M18RB-107E IT:A TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT44K64M18RB-107E IT:A TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT44K64M18RB-107E IT:A TR是美光科技生产的一款1.125Gb RLDRAM 3存储器,采用64Mb x 18的并行架构。该器件核心优势在于其高达933MHz的运行频率仅8ns的访问时间,为需要极高数据吞吐量和最低延迟的应用提供了硬件基础。

其工作电压范围为1.28V至1.42V,采用168-TBGA封装,支持表面贴装,并能在-40°C至95°C的宽温范围内可靠工作。这些参数共同定义了其作为高性能网络设备、高端计算及实时信号处理系统中关键缓冲存储器的定位。

  • 制造商产品型号:MT44K64M18RB-107E IT:A TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC RLDRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:最後
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:RLDRAM 3
  • 存储容量:1.125Gb(64Mb x 18)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:8ns
  • 电压-供电:1.28V ~ 1.42V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:168-TBGA
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