MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B是美光科技推出的一款大容量、高性能NAND闪存芯片。该器件提供高达3Tb（384GB）的存储容量，并采用并行接口设计，支持高达333MHz的时钟频率，能够实现极高的数据吞吐带宽，满足对存储速度有极致要求的应用场景。

其核心基于非易失性闪存技术，工作电压范围为2.5V至3.6V，采用272-LFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C。这些参数共同指向其在需要海量数据高速存取的领域，如企业级存储和高端计算设备中的关键作用。

• 制造商产品型号：MT29E3T08EQHBBG2-3:B
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-LFBGA
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