MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR

MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR是一款64Gb（8GB）容量的NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率可达83MHz，支持高速数据访问。其电压供电范围为2.7V至3.6V，兼容常见的3.3V系统，工作温度覆盖-40°C至85°C，适用于工业级环境。

该芯片采用100-VBGA表面贴装封装，提供非易失性存储，基于闪存技术，组织架构为8G x 8位。尽管目前已停产，但其高密度存储和并行接口特性使其在需要大容量、可靠存储的嵌入式应用中仍具参考价值。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CECCBH1-12ITZ:C TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 100VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-VBGA
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