MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR是美光科技生产的一款4Tb容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心架构为512G x 8的组织形式，能够满足大规模数据存储的需求。

该芯片支持高达267MHz的时钟频率，配合并联接口，可实现高速数据吞吐，适用于需要快速读写操作的应用。其工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度为0°C至70°C，确保了在商业环境下的稳定性和兼容性。产品状态为有源，采用卷带（TR）包装，便于自动化生产。

• 制造商产品型号：MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Tb（512G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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