MT46V64M8BN-6 L:F TR是美光科技生产的一款512Mb（64M x 8）容量DDR SDRAM芯片，采用并联接口与60-TFBGA表面贴装封装。其核心卖点在于结合了167MHz时钟频率与DDR技术，实现了高达333MT/s的数据传输速率，同时具备700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据吞吐能力。
该器件工作电压范围为2.3V至2.7V，工作温度覆盖0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其卷带包装形式适配自动化生产。作为一款已停产的产品，它主要面向需要稳定、高速内存解决方案的嵌入式设计与工业控制系统。
- 型号:MT46V64M8BN-6 L:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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