MT29F4G16ABBEAH4-IT:E是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和16位数据总线宽度。其核心参数包括1.7V至1.95V的宽工作电压范围以及-40°C至85°C的工业级工作温度，兼顾了低功耗设计与环境适应性。
该器件采用63-VFBGA表面贴装封装，适用于空间紧凑的嵌入式系统设计。其256M x 16位的存储组织方式，为非易失性数据存储提供了可靠的解决方案，尤其适合对数据吞吐率和环境鲁棒性有明确要求的应用场合。
- 型号:MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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