MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR

MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR 是美光科技推出的一款大容量并行接口 NAND 闪存芯片，属于其存储器产品线中的有源型号。该芯片采用非易失性闪存技术，提供高达 1.5Tb（192GB）的存储空间，内部结构为 192G x 8 位，为核心数据存储需求提供了高密度的解决方案。

其关键特性包括适用于高速数据传输的并联存储器接口，以及 2.5V 至 3.6V 的宽电压供电范围，确保了与多种系统平台的兼容性。产品采用 272-ball VBG A封装，并以卷带形式供货，适用于自动化生产流程。这些参数共同定义了其高容量、高可靠性及易于集成的核心卖点，主要瞄准需要处理海量数据的商业级应用环境。

• 制造商产品型号：MT29E1HT08ELHBBG1-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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