MT29F4G08ABADAH4:D TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8位）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件基于非易失性存储技术，可在断电后永久保存数据，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了设计灵活性。
该芯片的核心优势在于其中等存储容量与紧凑型表面贴装封装的结合，非常适合空间受限的嵌入式应用。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）和适用于自动化生产的卷带包装，使其成为网络通信、工业控制及消费电子等领域中实现代码存储、数据记录功能的可靠解决方案。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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