MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR是美光科技推出的一款4Gb（256M x 16位组织）容量NAND闪存芯片，采用并联接口。该器件基于非易失性闪存技术，工作电压范围为2.7V至3.6V，提供稳定的数据存储能力。
其核心优势在于采用63-VFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在苛刻环境下的可靠性。并行接口架构为需要高数据吞吐量的应用提供了有效的解决方案，适用于各类嵌入式系统和工业控制设备。
- 型号:MT29F4G16ABADAH4-AIT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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