MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA表面贴装封装。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，工作电压为2.7V至3.6V，支持高达200MHz的时钟频率，适用于需要高速数据读写的应用。
其核心特性包括32G x 8的存储结构、商业级工作温度范围（0°C至70°C）以及卷带包装，适合自动化生产。该芯片主要面向固态存储、嵌入式系统和工业控制等领域，为高密度数据存储提供可靠的解决方案。
- 型号:MT29F256G08CBCBBJ4-5M:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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