MT41K512M8RH-125:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR3L技术标准，核心架构为512M x 8位组织，实现了高达800MHz的时钟频率与1600 MT/s的数据传输速率，能够提供高带宽的内存访问性能。
其关键优势在于低电压操作，工作电压范围为1.283V至1.45V，相比传统DDR3显著降低了功耗。同时，13.75ns的访问时间确保了快速响应。该芯片设计用于满足网络通信、工业控制及嵌入式系统等领域对高性能、低功耗易失性存储的需求。
- 型号:MT41K512M8RH-125:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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