MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件属于非易失性存储器，工作电压范围为2.7V至3.6V，为核心系统提供了灵活的电源兼容性。

其核心优势在于符合AEC-Q100标准的汽车级认证与宽广的工业级工作温度范围（-40°C至105°C），确保了在极端环境下的高可靠性与数据完整性。采用48-TFSOP表面贴装封装并以卷带形式供货，专为要求严苛的汽车电子、工业控制及高耐用性嵌入式存储应用而设计。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 想获取MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料