M29W640GL70ZS6E是美光科技生产的一款64Mb（8M x 8 / 4M x 16）并行NOR闪存芯片，采用FBGA封装。它基于成熟的NOR技术，提供70ns的快速访问时间和编程速度，支持灵活的字节与字宽操作模式。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，具备非易失性数据存储特性，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在工业级环境下的可靠性。其并行接口设计便于与主流微处理器直接连接，适用于需要高速代码读取和可靠固件存储的嵌入式系统。
- 型号:M29W640GL70ZS6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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