MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR是美光科技推出的一款64Gb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件采用132-VBGA封装，组织架构为8G x 8位，为核心存储需求提供了高密度的解决方案。
其技术参数针对工业环境设计，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围覆盖-40°C至85°C，确保了在宽温及电压波动条件下的稳定运行。高达166MHz的时钟频率配合并联接口，能够实现高速数据访问，满足性能密集型应用的要求。
- 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:64Gb
- 存储器组织:8G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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