MT29F32G08ABEABM73A3WC1P是美光科技生产的一款32Gb（4G x 8位）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于浮栅技术，提供非易失性数据存储，工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖0°C至70°C，采用表面贴装的模具封装形式，适用于需要集成高密度存储的PCB设计。
其核心卖点在于通过并联接口实现高速数据访问，并以成熟的NAND架构提供可靠的32Gb存储空间。这款芯片主要面向嵌入式存储应用，适合作为网络设备、工业控制系统及其他电子设备中的大容量非易失性存储介质。
- 型号:MT29F32G08ABEABM73A3WC1P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:模具
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL DIE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
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