MT29F4G08ABADAH4-AATX:D是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存，采用63-VFBGA封装。该器件属于Automotive系列并符合AEC-Q100标准，确保了其在-40°C至105°C的宽温度范围内具备高可靠性和稳定性，专为应对严苛的汽车及工业环境而设计。
其核心优势在于将非易失性存储与并行接口相结合，提供了可靠的数据持久化能力和高效的数据传输路径。工作电压为2.7V至3.6V，兼容性强。这款有源器件为需要高密度、高可靠性闪存解决方案的汽车信息娱乐、ADAS数据记录及工业控制应用提供了理想的选择。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4-AATX:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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