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MICRON
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR的图片

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
原厂封装:封装:168-VFBGA(12x12)
优势价格,MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR是一款由美光科技制造的8Gb容量移动LPDDR SDRAM。该器件采用256M x 32的组织结构,通过并联接口提供高速数据访问,其核心优势在于200MHz时钟频率下的高带宽性能以及1.7V至1.95V的低工作电压范围,旨在实现性能与功耗的平衡。

该芯片提供5ns的快速访问时间和15ns的写周期时间,确保了高效的数据处理能力。其设计兼顾了可靠性,支持-40°C至85°C的工业级工作温度,并采用168-VFBGA表面贴装封装,适用于对空间和环境适应性有严苛要求的嵌入式及移动应用场景。

  • 型号:MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:168-VFBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 168VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:5 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:168-VFBGA
  • 供应商器件封装:168-VFBGA(12x12)
  • 想获取MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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