MT47H512M4THN-3:E TR

MT47H512M4THN-3:E TR 是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM存储器芯片。该器件采用512M x 4的存储单元组织架构和并联接口，核心时钟频率为333MHz，凭借DDR2（双倍数据速率）技术，其有效数据传输速率可达667MT/s，为系统提供了较高的内存带宽。

该芯片工作于标准的1.8V电压（范围1.7V~1.9V），在实现高速数据访问（访问时间450ps）的同时兼顾了功耗控制。它采用63-FBGA表面贴装封装，适用于0°C至85°C的商业温度环境。其特性包括可编程突发操作与片内终结，旨在优化信号完整性并简化板级设计，主要面向网络、工业控制及嵌入式系统等对内存性能和可靠性有明确要求的应用领域。

• 型号:MT47H512M4THN-3:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-FBGA（8x10）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:512M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-TFBGA
• 供应商器件封装:63-FBGA（8x10）
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