EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR是美光科技推出的一款8Gb容量移动LPDDR2 SDRAM，采用并行接口和216-FBGA封装。该器件基于128M x 64位架构，核心卖点在于其高达533MHz的时钟频率所带来的高数据带宽，以及1.14V至1.95V的宽电压工作范围，这为系统级动态功耗管理提供了坚实基础。
其设计充分契合嵌入式与移动应用需求，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，并采用卷带包装以适应自动化生产。这款易失性存储器主要服务于需要兼顾性能、功耗与封装尺寸的领域，是构建高效能嵌入式存储子系统的关键元件。
- 型号:EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
- 想获取EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
