M29W256GSL70ZS6E是美光科技生产的一款256Mbit并行NOR闪存，采用64-LBGA封装。该芯片提供32M x 8位或16M x 16位两种存储结构，支持高速随机读取，访问时间仅为70ns，适用于需要直接执行代码的嵌入式环境。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内可靠运行，确保了在苛刻环境下的稳定性。作为一款成熟的并行NOR闪存解决方案，它主要面向工业控制、通信设备等对启动速度和数据可靠性有较高要求的应用领域。
- 型号:M29W256GSL70ZS6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:64-FBGA（11x13）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256MBIT PARALLEL 64FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:32M x 8，16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:64-LBGA
- 供应商器件封装:64-FBGA（11x13）
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