MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A TR

MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A TR 是美光科技推出的一款2Tb（256GB）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于闪存技术，具备非易失性存储特性，工作电压范围为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适用于自动化生产。

其核心优势在于高密度存储与高速访问能力。芯片内部组织为256G x 8位，支持高达333MHz的时钟频率，通过并行接口实现高速数据传输，能够满足对存储带宽有较高要求的应用。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）确保了在广泛环境下的稳定运行。

• 制造商产品型号：MT29F2T08EMHAFJ4-3ITFES:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 2TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：2Tb（256G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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