MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR

MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR是美光科技生产的一款1Tb容量NAND闪存芯片，采用并行接口和132-VBGA表面贴装封装。该器件基于闪存技术，提供非易失性数据存储，其核心卖点在于将高密度存储与高速访问相结合，支持高达333MHz的时钟频率，可实现快速的数据读写操作。

其工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性良好，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定工作。该芯片以128G x 8位的组织形式提供1Tb总容量，适用于需要大容量、高性能存储解决方案的各类电子系统，是企业存储、嵌入式应用等领域的理想选择。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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