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MICRON
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR的图片

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
原厂封装:产品封装:134-VFBGA
优势价格,EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR是美光科技生产的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM存储器。该芯片采用64M x 16的存储结构,通过16位并行接口和533MHz的时钟频率提供高数据带宽,同时其1.14V至1.95V的宽电压供电范围为实现低功耗运行提供了核心支持。

器件采用134-VFBGA小型化封装,支持表面贴装,适用于空间紧凑的设计。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C,确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性,使其成为要求严苛的移动和嵌入式应用的理想内存解决方案。

  • 制造商产品型号:EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:1Gb(64M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:134-VFBGA
  • 想获取EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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