M39L0R8090U3ZE6E是美光科技推出的一款高集成度存储器芯片，采用133-VFBGA封装，集成了256Mb NOR Flash和512Mb Mobile LPDDR SDRAM。这种多芯片封装设计在单一物理器件中实现了非易失性存储与高速易失性内存的融合，显著节省了PCB空间，简化了系统设计。
该器件NOR Flash部分访问时间为70ns，支持代码就地执行（XIP），LPDDR SDRAM部分则提供高速数据缓存能力。其工作电压范围为1.7V至1.95V，工作温度范围为-40°C至85°C，具备良好的功耗控制与环境适应性，非常适合用于空间受限、电池供电的嵌入式移动设备。
- 型号:M39L0R8090U3ZE6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:133-VFBGA（8x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLSH RAM 256MBIT PAR 133VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:FLASH - NOR，Mobile LPDDR SDRAM
- 存储容量:256Mb，512Mb
- 存储器组织:16M x 16，32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:133-VFBGA
- 供应商器件封装:133-VFBGA（8x8）
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