MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR

MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用512M x 16位的组织架构。该器件基于DDR3L技术，工作电压低至1.283V-1.45V，在提供高达933MHz时钟频率（1866 MT/s数据速率）的同时，实现了优异的功耗控制。

作为一款通过AEC-Q100认证的汽车级产品，其设计满足高可靠性要求，支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，并能承受严苛的汽车电子环境。该芯片采用96-TFBGA封装和卷带包装，适用于需要高速数据缓存和高稳定性的汽车与工业嵌入式系统设计。

• 制造商产品型号：MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - DDR3L
• 存储容量：8Gb（512M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：933MHz
• 写周期时间-字，页：15ns
• 访问时间：20ns
• 电压-供电：1.283V ~ 1.45V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：96-TFBGA
• 想获取MT41K512M16VRN-107 AAT:P TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料