MT47H64M8CB-37V:B TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用64M x 8的位宽配置与并行接口。该器件基于DDR2技术，在267MHz的时钟频率下可实现等效533MT/s的数据传输速率，提供了较高的内存带宽，其500ps的访问时间与15ns的写周期时间确保了快速的数据读写响应。
该芯片工作电压为1.7V至1.9V，在提升性能的同时优化了功耗表现。其采用表面贴装型的60-FBGA封装，适用于0°C至85°C的商业温度范围，主要面向需要可靠、高性能内存解决方案的嵌入式与通信系统设计。
- 型号:MT47H64M8CB-37V:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:500 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
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