MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR是美光科技生产的一款256Gb（32GB）容量NAND闪存芯片，采用TLC（Triple-Level Cell）技术和32G x 8的位宽架构。该器件以VBGA形式封装，并以卷带（TR）方式供货，专为高效自动化生产而设计。
作为一款有源状态的存储器产品，其核心价值在于提供了高密度的存储解决方案，在单颗芯片内实现了可观的存储空间，同时保持了标准NAND接口的易用性。这使得它成为需要平衡成本、容量与可靠性的各类嵌入式存储和大容量消费电子应用的理想选择。
- 型号:MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（TLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
- 想获取MT29F256G08EBHBFJ4-3ITF:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
