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MICRON
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F的图片

MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
原厂封装:封装:63-VFBGA(9x11)
优势价格,MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F是美光科技推出的一款1Gb容量、采用并联接口的SLC NAND闪存芯片。该器件以128M x 8位的组织形式提供非易失性数据存储,其核心优势在于SLC技术带来的高可靠性与长寿命,页编程和访问时间均仅为25ns,确保了高速的数据吞吐性能。

该芯片设计符合AEC-Q100汽车级标准,支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,并采用1.7V至1.95V的低电压供电,兼具高性能与低功耗特性。其63-VFBGA封装形式适合高密度表面贴装,主要面向对数据完整性、环境适应性和耐久性有严格要求的汽车电子、工业自动化及网络基础设施等应用领域。

  • 型号:MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:63-VFBGA(9x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字,页:25ns
  • 访问时间:25 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:63-VFBGA
  • 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
  • 想获取MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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